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沈陽東創(chuàng)貴金屬材料有限公司
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采用連續(xù)式硫化法的情況下，不會(huì)有因切去加壓成形產(chǎn)生的毛邊或一般的擠壓處理和在硫化處理槽內(nèi)進(jìn)行處理時(shí)橡膠管兩端翹起的部分而導(dǎo)致的橡膠浪費(fèi)，金管報(bào)價(jià)，另外能夠縮短制造時(shí)間和減少人工費(fèi)用，因此能夠降低輥筒的制造成本，從這些方面考慮，此方法優(yōu)于間歇式硫化法。
此外，硫化處理后，由于對每個(gè)輥筒都進(jìn)行了剪切，所以基本上不會(huì)出現(xiàn)上述差別，這樣就可緩解長度方向的電阻值的不均勻。
陶瓷靶材
ITO靶、氧化鎂靶、氧化鐵靶、氮化硅靶、碳化硅靶、氮化鈦靶、氧化鉻靶、氧化鋅靶、硫化鋅靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、二氧化鋯靶、五氧化二鈮靶、二氧化鈦靶、二氧化鋯靶，、二氧化鉿靶，哪家有金管，二硼化鈦靶，二硼化鋯靶，金管，三氧化鎢靶，三氧化二鋁靶五氧化二鉭，五氧化二鈮靶、氟化鎂靶、氟化釔靶、硒化鋅靶、氮化鋁靶，氮化硅靶，氮化硼靶，氮化鈦靶，碳化硅靶，哪里有金管，鈮酸鋰靶、鈦酸鐠靶、鈦酸鋇靶、鈦酸鑭靶、氧化鎳靶、濺射靶材等。
各種類型的濺射薄膜材料在半導(dǎo)體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應(yīng)用。20世紀(jì)90年代以來，濺射靶材及濺射技術(shù)的同步發(fā)展，極大地滿足了各種新型電子元器件發(fā)展的需求。例如，在半導(dǎo)體集成電路制造過程中，以電阻率較低的銅導(dǎo)體薄膜代替鋁膜布線。
在被濺射的靶極（陰極）與陽極之間加一個(gè)正交磁場和電場，在高真空室中充入所需要的惰性氣體（通常為Ar氣），磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場，同高壓電場組成正交電磁場。
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第9年
