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MOS管FET柵源保護：
1）避免 柵極 di/dt 過高
因為選用驅動集成ic，其輸出阻抗較低，直推功率管會造成推動的功率管迅速的開啟和斷連，有可能導致功率管漏源極間的工作電壓波動，或是有可能導致功率管遭到過高的 di/dt 而造成誤通。為預防以上問題的產生，一般在 MOS 控制器的導出與 MOS 管的柵極中間串連一個電阻器，電阻器的尺寸一般選擇幾十歐母。
2）避免 柵源極間過壓
因為柵極與源極的特性阻抗很高，漏極與源極間的工作電壓基因突變會根據極間電容藕合到柵極而造成非常高的柵源頂i峰工作電壓，此工作電壓會使非常薄的柵源空氣氧化層穿透，與此同時柵極非常容易累積正電荷也會使柵源空氣氧化層穿透，因此，要在 MOS 管柵極串聯穩壓極管以限定柵極工作電壓在穩壓極管值下，保護 MOS 管不被穿透。
3）安全防護漏源極中間過壓
盡管漏源擊穿電壓 VDS 一般都非常大，但假如漏源極不用保護電路，一樣有可能由于器件電源開關一瞬間電流量的基因突變而造成漏極頂i峰工作電壓，從而毀壞 MOS 管，功率管電源開關速率越快，造成的過壓也就越高。為了更好地避免器件毀壞，mos萬芯半導體，一般選用齊納二極管鉗位和 RC 緩存電路等保護對策。
MOSFET管有兩個電極，一個是金屬，另一個是外在硅，他們之間由一薄層二氧化硅分隔開。MOSFET管一般被生產制造為四種類型，分別是增強型和耗盡型、P溝道和N溝道這四種，但其實在實際的運用中一般只用增強型的N溝道和增強型的P溝道MOS管，因此一般情況下只要提及NMOS或是PMOS便是指的是這兩種。
針對這兩種增強型的MOS管，其中較為普遍使用的是NMOS —— 原因是增強型的N溝道MOS管的導通電阻更小，并且生產簡便，因此在開關電源和電機驅動的運用中，我們一般使用增強型的N溝道MOS管。
MOS管的三個管腳中有寄生電容的存在，雖然說這并不是大家所需要的，但其中生產制造加工工藝需要寄生電容的存在。有了寄生電容，這讓其設計方案或挑選驅動電源電路的情況下會更麻煩一些，其中還沒有解決的辦法能避免。
在MOS管的漏極和源極中有一個寄生二極管叫做體二極管，寧波mos，就驅動感性負載來說，二極管對其十分重要。順帶說一句，體二極管只在單獨的MOS管內存在，在集成電路芯片內部一般都是沒有的。
公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應用開發及生產，mos價格，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產品上應用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。
mos管有的時候也稱作絕緣柵場效應管，因為它歸屬于場效應管中的絕緣柵型，全名是金屬—氧化物—半導體場效應晶體管或稱金屬—絕緣體—半導體場效應晶體管，mos廠家，是一種能夠普遍應用在模擬電路與數字電路的場效晶體管。依據其“通道”(工作載流子)的極性差異，可分成“N型”與“P型”的兩個類型，也就是常說的Nmos、Pmos。
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第4年
