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合肥啟爾特石油科技有限公司
主營：175度晶振,150度單片機,150度存儲器,175度電容
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擦除遠存儲內容的方法可以采用以下方法：電的方法（稱電可改寫ROM）或用紫外線照射的方法（稱光可改寫ROM）。光可改寫ROM可利用高電壓將資料編程寫入，抹除時將線路曝光于紫外線下，則資料可被清空，并且可重復使用。通常在封裝外殼上會預留一個石英透明窗以方便曝光。
原裝210度存儲器合肥啟爾特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高溫存儲器 ，適用于石油測井勘探領域。存儲器能做高溫的廠家不多，150度常用的是25LC256系列，可擦除存儲器，175度FLASH存儲器可以做到4MB容量，150度可擦除存儲器價格，200度和210度的都是TI公司eeprom存儲器，容量較小，如有需要的客戶，歡迎來電。
EEPROM解決了傳統ROM/OTP只能出廠前或一次性固化程序而不利于調試的問題;也突破了EPROM必須脫機用紫外線來擦除的繁瑣和不穩定等問題。EEPROM直接采用電來重寫數據，并可按字節進行擦除和再編程，從而克服了一般ROM的缺點和不足。但由于EEPROM的存儲量一般不大，因此只適用于一些小容量存儲的場合。
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Flash 儲存器的標準物理結構，稱之為基本位（cell）；一般MOS閘極（Gate）和通道的間隔為氧化層之絕緣（gate oxide），而Flash 儲存器的特色是在控制閘（Control gate）與通道間多了一層稱為“浮閘”（floating gate）的物質。拜這層浮閘之賜，150度可擦除存儲器介紹，使得Flash 儲存器可快速完成讀、寫、抹除等三種基本操作模式；就算在不提供電源給內存的環境下，也能透過此浮閘，來保存數據的完整性。
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第2年
