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合肥啟爾特石油科技有限公司
主營：175度晶振,150度單片機,150度存儲器,175度電容
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| 先生： |
現在的 EEPROM 和 FLASH 都屬于“可多次電擦除存儲器”，但他們二者之間還是有很大差異。
首先，他們差異就是：FLASH按塊/扇區進行讀寫操作，EEPROM支持按字節讀寫操作。
其次，容量大小不同：FLASH容量可以做到很大，但EEPROM容量一般都很小。
再次，就是它們的應用場景不同：EERPOM存儲零散小容量數據，比如：標志位、一組數據等。FLASH存儲大容量數據，比如：程序代碼、圖片信息等。
進口175度存儲器合肥啟爾特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高溫存儲器 ，適用于石油測井勘探領域。存儲器能做高溫的廠家不多，150度常用的是25LC256系列，175度FLASH存儲器可以做到4MB容量，200度和210度的都是TI公司eeprom存儲器，容量較小，如有需要的客戶，歡迎來電。
EEPROM存儲器應用
1.系統配置信息存儲：EEPROM存儲器可用于存儲設備的配置信息和參數設置，如計算機BIOS設置。
2.數據備份與恢復：在數據存儲設備中，EEPROM可作為數據備份，高溫175度讀寫存儲器容量，確保數據安全。
3.設備ID與序列號：EEPROM存儲器可用于存儲設備的標識符，高溫200度讀寫存儲器容量，如MAC地址、序列號等。
4.用戶偏好設置：在消費電子產品中，EEPROM可用于存儲用戶的個性化設置，如音量、亮度等。
5.工業控制系統：在工業控制系統中，EEPROM可用于存儲控制參數和歷史數據，便于故障診斷和分析。
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FLASH存儲器的基本單元電路，與EEPROM類似，高溫175度讀寫存儲器介紹，也是由雙層浮空柵MOS管組成。但是一層柵介質很薄，讀寫存儲器，作為隧道氧化層。寫入方法與EEPROM相同，在第二級浮空柵加以正電壓，使電子進入一級浮空柵。讀出方法與EPROM相同。擦除方法是在源極加正電壓利用一級浮空柵與源極之間的隧道效應，把注入至浮空柵的負電荷吸引到源極。由于利用源極加正電壓擦除，因此各單元的源極聯在一起，這樣，快擦存儲器不能按字節擦除，而是全片或分塊擦除。
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