擦除遠存儲內容的方法可以采用以下方法:電的方法(稱電可改寫ROM)或用紫外線照射的方法(稱光可改寫ROM)。光可改寫ROM可利用高電壓將資料編程寫入,抹除時將線路曝光于紫外線下,則資料可被清空,并且可重復使用。通常在封裝外殼上會預留一個石英透明窗以方便曝光。
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EEPROM主要用于存儲關鍵性的數據,如傳感器的標定數據、用戶配置參數等。由于其可編程性和靈活性,讀寫存儲器,EEPROM在需要頻繁更新數據的嵌入式系統中得到廣泛應用。
Flash存儲器則更適用于存儲大容量的數據記錄,如文件、圖片、字庫等。此外,Flash存儲器還常用于存儲經常讀但很少寫的數據,如操作系統代碼、應用程序等。
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一般地EEPROM存儲器(如93C46/56/66系列)的擦寫次數為10萬次,超過這一極限的時候,高溫200度讀寫存儲器容量,該單元就無法再使用了。但在實際應用中,可能有些數據要反復改寫。這時,可通過變址尋址的方式來突破EEPROM存儲器的擦寫壽命極限。
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