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合肥啟爾特石油科技有限公司
主營：175度晶振,150度單片機,150度存儲器,175度電容
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RAM隨機存取存儲器（Random Access Memory）
CPU根據RAM的地址將數據隨機的寫入或讀出。電源切斷后，所存數據全部丟失。按照集成電路內部結構不同，RAM又分為兩類：
SRAM靜態RAM（Static RAM）
靜態RAM速度非常快，只要電源存在內容就不會消失。但他的基本存儲電路是由6個MOS管組成1位。集成度較低，175度動態存儲器批發，功耗也較大。一般高速緩沖存儲器（Cache memory）用它組成。
測井175度存儲器合肥啟爾特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高溫存儲器 ，適用于石油測井勘探領域。存儲器能做高溫的廠家不多，150度常用的是25LC256系列，175度FLASH存儲器可以做到4MB容量，200度和210度的都是TI公司eeprom存儲器，容量較小，如有需要的客戶，歡迎來電。
FLASH存儲器的基本單元電路，與EEPROM類似，也是由雙層浮空柵MOS管組成。但是一層柵介質很薄，作為隧道氧化層。寫入方法與EEPROM相同，在第二級浮空柵加以正電壓，使電子進入一級浮空柵。讀出方法與EPROM相同。擦除方法是在源極加正電壓利用一級浮空柵與源極之間的隧道效應，把注入至浮空柵的負電荷吸引到源極。由于利用源極加正電壓擦除，因此各單元的源極聯在一起，這樣，快擦存儲器不能按字節擦除，動態存儲器，而是全片或分塊擦除。
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按其制造工藝可分為
（1）雙極型存儲器特點：運算速度比磁芯存儲器速度約快了 3個數量級，而且與雙極型邏輯電路型式相同，使接口大為簡化。
（2）MOS晶體管存儲器特點：集成度高、容量大、體積小、存取速度快、價格便宜、功耗低、維護簡單。
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第2年
